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5339362VND7NV04TR-E-Bild.STMicroelectronics

VND7NV04TR-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    VND7NV04TR-E
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET POWER 40V 6A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    VND7NV04TR-E.pdf
  • Spannung - Versorgung (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Spannung - Last
    36V (Max)
  • Schaltertyp
    General Purpose
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    OMNIFET II™, VIPower™
  • Rds On (Typ)
    60 mOhm (Max)
  • Verhältnis - Eingang: Ausgang
    1:1
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ausgabetyp
    N-Channel
  • Ausgangskonfiguration
    Low Side
  • Andere Namen
    497-11707-2
    VND7NV04TR-E-ND
    VND7NV04TRE
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Anzahl der Ausgänge
    1
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Schnittstelle
    On/Off
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • Eigenschaften
    -
  • Fehlerschutz
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • Strom - Ausgabe (max)
    6A
  • Basisteilenummer
    VN*7NV

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "VND7NV04TR-E" -Einziper.
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810-E

VND810-E

Beschreibung: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810MSP

VND810MSP

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04

VND7NV04

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-1

VND7N04-1

Beschreibung: MOSFET POWER 42V 7A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-E

VND7N04-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND81013TR

VND81013TR

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-1-E

VND7N04-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N0413TR

VND7N0413TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

Beschreibung: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810PEP-E

VND810PEP-E

Beschreibung: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810MSP-E

VND810MSP-E

Beschreibung: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810

VND810

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND810PTR-E

VND810PTR-E

Beschreibung: IC DRIVER HIGH SIDE SW 16-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

Beschreibung: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

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