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969421FKV550N-Bild.Sanken Electric Co., Ltd.

FKV550N

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FKV550N
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.FKV550N.pdf
    2.FKV550N.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    35W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    FKV550N DK
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 50A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "FKV550N" -Einziper.
DMTH4005SK3-13

DMTH4005SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 95A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPU80R900P7AKMA1

IPU80R900P7AKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NDT452P

NDT452P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS6B03NWFT1G

NVMFS6B03NWFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RK7002BT116

RK7002BT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTR0202PLT3G

NTR0202PLT3G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FKV575

FKV575

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FDME410NZT

FDME410NZT

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HUF75829D3

HUF75829D3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZVNL120ASTOA

ZVNL120ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTK33N50

IXTK33N50

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 33A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRFR9110TRPBF

IRFR9110TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLZ44NSTRR

IRLZ44NSTRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FKV550T

FKV550T

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FDD86380-F085

FDD86380-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMP4025SFG-7

DMP4025SFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.65A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STL40N75LF3

STL40N75LF3

Beschreibung: MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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