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RD 2A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RD 2A
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RD 2A.pdf
    2.RD 2A.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 1.2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RD 2A DK
    RD 2A-ND
    RD2A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1.2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1.2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RD 2A" -Einziper.
MBRH200100

MBRH200100

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-E3/73

1N4002GPE-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N3294R

1N3294R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RSFDLHRQG

RSFDLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3GBHM4G

S3GBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JAN1N3613

JAN1N3613

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RS1ML RTG

RS1ML RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
AK 04WK

AK 04WK

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RD 2AV1

RD 2AV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
SURA8260T3G

SURA8260T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-71HF10

VS-71HF10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP2D020A170B

GP2D020A170B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
DTV32B-E3/45

DTV32B-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RD 2AV

RD 2AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
S1AFK-M3/6B

S1AFK-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
FR106G A0G

FR106G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FS1K-TP

FS1K-TP

Beschreibung: DIODE 1A V HSMA DO-214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SD103CW-G3-18

SD103CW-G3-18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SD101AWS-G3-18

SD101AWS-G3-18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150MW 60V SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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