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RD 2AV

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RD 2AV
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RD 2AV.pdf
    2.RD 2AV.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 1.2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RD 2AV DK
    RD 2AV-ND
    RD2AV
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1.2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1.2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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2024/11/13
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Das Folgende sind "RD 2AV" -Einziper.
CD214B-B220R

CD214B-B220R

Beschreibung: DIO SBD VRRM 20V 2A SMB

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
HS18135R

HS18135R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 180A HALFPAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBR340STR

MBR340STR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277B

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
GP10-4007E-E3/54

GP10-4007E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MPG06BHE3/54

MPG06BHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS12L MHG

SS12L MHG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UFS170JE3/TR13

UFS170JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 1A DO214BA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RD 2AV1

RD 2AV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
SBR10U200P5Q-13

SBR10U200P5Q-13

Beschreibung: DIODE SBR 200V 10A POWERDI5

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
UF1GHA0G

UF1GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRS16150HMNG

MBRS16150HMNG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 16A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RD 2A

RD 2A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
CSFB203-G

CSFB203-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
SS16HE3_A/I

SS16HE3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6629US

JANTXV1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBRF560L

MBRF560L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A ITO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
PMEG2010EPA,115

PMEG2010EPA,115

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A 3HUSON

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
VS-70HFR160

VS-70HFR160

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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