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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RF 1BV1
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6724044RF 1BV1-Bild.Sanken Electric Co., Ltd.

RF 1BV1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RF 1BV1
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RF 1BV1.pdf
    2.RF 1BV1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    400ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RF 1BV1 DK
    RF 1BV1-ND
    RF 1BV1TB
    RF 1BV1TB-ND
    RF 1BV1TR
    RF 1BV1TR-ND
    RF1BV1TB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 600mA Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    600mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RF 1BV1" -Einziper.
ES2DHM4G

ES2DHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4PJ-M3/87A

S4PJ-M3/87A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RF 1AV1

RF 1AV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RF 1B

RF 1B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RS2GA-13

RS2GA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VS-6EVL06HM3/I

VS-6EVL06HM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDP06S060D

GDP06S060D

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
VS-31DQ09

VS-31DQ09

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 3.3A C16

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4G V6G

S4G V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RF 1A

RF 1A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-M3/73

1N4002GPE-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MURS160HE3_A/I

MURS160HE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
R9G21411ASOO

R9G21411ASOO

Beschreibung: DIODE FAST REC R9G 1100A 1400V

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
RF 1BV

RF 1BV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VS-80SQ040TR

VS-80SQ040TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO204AR

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RF 1AV

RF 1AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VS-CPU6006LHN3

VS-CPU6006LHN3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
DSI30-12AS

DSI30-12AS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
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