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RF 1AV1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RF 1AV1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2V @ 600mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    400ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RF 1AV1 DK
    RF 1AV1-ND
    RF1AV1
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 600mA Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    600mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
FR6BR02

FR6BR02

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
BAT42-L0 A0G

BAT42-L0 A0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY DO-35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RF505TF6S

RF505TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF 1AV

RF 1AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
SE15PG-E3/85A

SE15PG-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CDBA140-HF

CDBA140-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RF 1BV1

RF 1BV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
MBR1050 C0G

MBR1050 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SR505 R0G

SR505 R0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N8035-GA

1N8035-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GP10AHM3/54

GP10AHM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-ETH3007T-N3

VS-ETH3007T-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RF 1B

RF 1B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
ES1CL R3G

ES1CL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS286-GS08

BAS286-GS08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
U8CT-E3/4W

U8CT-E3/4W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CD214B-F3200

CD214B-F3200

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
AS1PBHM3/84A

AS1PBHM3/84A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A DO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RF 1BV

RF 1BV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RF 1A

RF 1A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig

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