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6907151

RJ 43

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RJ 43
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RJ 43.pdf
    2.RJ 43.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    450mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RJ 43 DK
    RJ 43-ND
    RJ43
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 30V 3A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    3mA @ 30V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RJ 43" -Einziper.
R6000625XXYA

R6000625XXYA

Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
BYS10-35HE3/TR3

BYS10-35HE3/TR3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SK24A R3G

SK24A R3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S16KR

S16KR

Beschreibung: DIODE GEN REV 800V 16A DO203AA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF505TF6S

RF505TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
CMF01(TE12L,Q,M)

CMF01(TE12L,Q,M)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SS13LHRTG

SS13LHRTG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SBE002-TL-W

SBE002-TL-W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 1A 6CPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S15KC M6G

S15KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 15A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VIT760-M3/4W

VIT760-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 7.5A 60V TO-262AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-40HFR140

VS-40HFR140

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SBR3U60SA-13

SBR3U60SA-13

Beschreibung: DIODE SBR 60V 3A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SD3220S040S3R0

SD3220S040S3R0

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
RFQ
20TQ045STRR

20TQ045STRR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LL41-GS08

LL41-GS08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EGP10G

EGP10G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HT11G A0G

HT11G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MR852

MR852

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP08D-E3/73

GP08D-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TST10H120CW C0G

TST10H120CW C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 5A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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