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1986550

RN 2ZV

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN 2ZV
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    100ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RN 2ZV DK
    RN 2ZV-ND
    RN2ZV
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
V12PM10-M3/I

V12PM10-M3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RN 1ZV

RN 1ZV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
JANTXV1N6626U

JANTXV1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N4001 TR

1N4001 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
STPS120MF

STPS120MF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A STMITEFLAT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
STPS30SM60D

STPS30SM60D

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 30A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
S8JC M6G

S8JC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES07D-M-08

ES07D-M-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N5819

VS-1N5819

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RN 2Z

RN 2Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
CD214C-S3G

CD214C-S3G

Beschreibung: DIO RECT VRRM 400V 3A SMC

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RN 1ZV1

RN 1ZV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
ESH2PB-E3/84A

ESH2PB-E3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IDFW40E65D1EXKSA1

IDFW40E65D1EXKSA1

Beschreibung: IGBT 650V 40A TO247-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MBRH12060R

MBRH12060R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RN 1Z

RN 1Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RN 4Z

RN 4Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RN 4A

RN 4A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RN 2ZV1

RN 2ZV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig

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