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1N6473US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6473US
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 24V 41.4V GMELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N6473US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    24V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    41.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    27V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    G-MELF (D-5C)
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, G
  • Andere Namen
    1N6473USS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    36.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6472US

1N6472US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6471

1N6471

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6472

1N6472

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6474

1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6473US

1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24VWM 41.4VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6474

1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6471US

1N6471US

Beschreibung: TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6473

1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6473

1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6472US

1N6472US

Beschreibung: TVS DIODE 15VWM 26.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6472

1N6472

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
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