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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N6476
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1N6476

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6476
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6476.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    51.6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    78.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    54V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    G, Axial
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    107A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "1N6476" -Einziper.
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6474

1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6474

1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6473US

1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
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