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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1F4TA
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57436571F4TA-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

1F4TA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1F4TA
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A R-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1F4TA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R-1 (Axial)
  • Andere Namen
    1F4TASMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole R-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1F4TA" -Einziper.
6A20G B0G

6A20G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SD101B-T

SD101B-T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 15MA DO35

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBRH15030RL

MBRH15030RL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 150A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
V8PA15-M3/I

V8PA15-M3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 8A DO221BC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N1124A

1N1124A

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-80PFR140W

VS-80PFR140W

Beschreibung: DIODE STD REC 80A DO-5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UES1103SM

UES1103SM

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1F4-TP

1F4-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 1A R-1

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
AR1PJHM3/84A

AR1PJHM3/84A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1T3G A1G

1T3G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RB751CS-40T2R

RB751CS-40T2R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-30EPH03-N3

VS-30EPH03-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
CLS03(TE16L,DNSO,Q

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
R7003403XXUA

R7003403XXUA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4400V 300A DO200

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
RFQ
VS-30WQ03FNTRRPBF

VS-30WQ03FNTRRPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS1PMHM3/85A

AS1PMHM3/85A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DSAI17-12A

DSAI17-12A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MURD550PFT4

MURD550PFT4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DS135AD

DS135AD

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-8ETH06SPBF

VS-8ETH06SPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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