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4325590SICR101200-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

SICR101200

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SICR101200
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SICR101200.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    1655-1955
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    Not Applicable
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    640pF @ 0V, 1MHz

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