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SICRB6650TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SICRB6650TR
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SICRB6650TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    650V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A Surface Mount D2PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50µA @ 650V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    150pF @ 5V, 1MHz

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SICH50-M

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SICRF10650

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SICW04B08-C30

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SICR6650

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SICRB5650TR

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SICH75-C

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SICRF10650CT

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SICR10650CT

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SICW04B08-M30

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SICR101200

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