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1879735GL4800E0000F-Bild.Sharp Microelectronics

GL4800E0000F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GL4800E0000F
  • Hersteller / Marke
    Sharp Microelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GL4800E0000F.pdf
  • Wellenlänge
    950nm
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • Blickwinkel
    60°
  • Art
    Infrared (IR)
  • Serie
    -
  • Strahlungsintensität (Ie) Min @ If
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial
  • Andere Namen
    425-1939-5
  • Orientierung
    Side View
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA

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GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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GL480E00000F

GL480E00000F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL453E00000F

GL453E00000F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL480

GL480

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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GL480QE0000F

GL480QE0000F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL4800

GL4800

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
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GL41T-E3/1

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41M/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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GL41T-E3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41T-E3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

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GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41THE3/97

GL41THE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

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GL41Y-E3/97

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GL4910JE000F

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Beschreibung: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

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