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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SS400 RKG
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1SS400 RKG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS400 RKG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS400 RKG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-523F
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-79, SOD-523
  • Andere Namen
    1SS400 RKG-ND
    1SS400RKG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    30 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOD-523F
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 500mV, 1MHz

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Das Folgende sind "1SS400 RKG" -Einziper.
1SS400-TP

1SS400-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS400T5G

1SS400T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS396,LF

1SS396,LF

Beschreibung: DIODE SCHOTKY 40V 70MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS398TE85LF

1SS398TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400-G

1SS400-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1SS399TE85LF

1SS399TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS397TE85LF

1SS397TE85LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS394TE85LF

1SS394TE85LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS393SU,LF

1SS393SU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400 RJG

1SS400 RJG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400 RSG

1SS400 RSG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS400T1G

1SS400T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS392,LF

1SS392,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400CST2R

1SS400CST2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400CSFHT2RA

1SS400CSFHT2RA

Beschreibung: SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS393,LF

1SS393,LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS390TE61

1SS390TE61

Beschreibung: DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400GT2R

1SS400GT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400SMT2R

1SS400SMT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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