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43393321SS400GT2R-Bild.LAPIS Semiconductor

1SS400GT2R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS400GT2R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    VMD2
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    1SS400GT2RTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount VMD2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    3pF @ 0.5V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1SS400
1SS400 RJG

1SS400 RJG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1SS399TE85LF

1SS399TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS402TE85LF

1SS402TE85LF

Beschreibung:

Hersteller: TOSHIBA
vorrätig
1SS400 RKG

1SS400 RKG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS404,H3F

1SS404,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS400SMT2R

1SS400SMT2R

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS400CSFHT2RA

1SS400CSFHT2RA

Beschreibung: SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS400T5G

1SS400T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1SS400T1G

1SS400T1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1SS400TE61

1SS400TE61

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
1SS405,H3F

1SS405,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS400-TP

1SS400-TP

Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1SS401(TE85L,F)

1SS401(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS398TE85LF

1SS398TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS400 RSG

1SS400 RSG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1SS403,H3F

1SS403,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS400CST2R

1SS400CST2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS400-G

1SS400-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1SS412(TE85L,F)

1SS412(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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