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1T5G A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T5G A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1T5G A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T5G A0G-ND
    1T5GA0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1T5G A0G" -Einziper.
MMBD6050-E3-08

MMBD6050-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1T5G A1G

1T5G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS36LHMHG

SS36LHMHG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SIDC23D120F6X1SA1

SIDC23D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RL254M-AP

RL254M-AP

Beschreibung: DIODE GPP 2.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAV20WS-G3-18

BAV20WS-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IDB06S60C

IDB06S60C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1N916ATR

1N916ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1T5G R0G

1T5G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-12F100M

VS-12F100M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UG4A-E3/73

UG4A-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CDSFR4148-HF

CDSFR4148-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
ES2A R5G

ES2A R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS38

SS38

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GIB1401HE3/81

GIB1401HE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MSS2P2HM3_A/H

MSS2P2HM3_A/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICROSMP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FR70GR05

FR70GR05

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
BYG20G-M3/TR3

BYG20G-M3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
V20PWM45-M3/I

V20PWM45-M3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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