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1T5G R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T5G R0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1T5G R0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T5G R0G-ND
    1T5GR0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1T5G R0G" -Einziper.
MPG06G-E3/100

MPG06G-E3/100

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SF13M-TP

SF13M-TP

Beschreibung: DIODE 1A HSMA DO-214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SET111412

SET111412

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 45A MODULE

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1T5G A0G

1T5G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DB2W60400L

DB2W60400L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A MINI2

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
1T5G A1G

1T5G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SK16-13-F

SK16-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1A M2G

S1A M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-150EBU04HF4

VS-150EBU04HF4

Beschreibung: DIODE GP 400V 150A POWERTAB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SB380

SB380

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5031013LSWA

R5031013LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 125A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-20ETF10SPBF

VS-20ETF10SPBF

Beschreibung: DIODE INPUT 20A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
ES3JHM6G

ES3JHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS110LHMQG

SS110LHMQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S2MTR

S2MTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 2A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
SCS308AHGC9

SCS308AHGC9

Beschreibung: SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SB550-T

SB550-T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GL34B-E3/98

GL34B-E3/98

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N1202R

1N1202R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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