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5175711ES1HM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1HM2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1HM2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1HM2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 500V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 500V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1HM2G" -Einziper.
ES1J-TP

ES1J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1H

ES1H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1HL M2G

ES1HL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL RVG

ES1HL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HR3G

ES1HR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL RHG

ES1HL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JFL

ES1JFL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1JE-TP

ES1JE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JAF

ES1JAF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1HL RUG

ES1HL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL MQG

ES1HL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J M2G

ES1J M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J R3G

ES1J R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JF R2G

ES1JF R2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL MHG

ES1HL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL RQG

ES1HL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL R3G

ES1HL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J-LTP

ES1J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1J

ES1J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1HL RTG

ES1HL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

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