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3550509ES1JE-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

ES1JE-TP

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12000+
$0.067
30000+
$0.063
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$0.056
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1JE-TP
  • Hersteller / Marke
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1JE-TP.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMAE)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES1JE-TPMSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMAE)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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ES1J

ES1J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1J-LTP

ES1J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JAF

ES1JAF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1J R3G

ES1J R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL RVG

ES1HL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HM2G

ES1HM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL R3G

ES1JL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JHM2G

ES1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1HL RUG

ES1HL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J M2G

ES1J M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JF R2G

ES1JF R2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL MHG

ES1JL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J-TP

ES1J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1HR3G

ES1HR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JFL

ES1JFL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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