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3443584ES1JL R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JL R3G

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5400+
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45000+
$0.07
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1JL R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1JL R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    ES1JL R3GTR
    ES1JL R3GTR-ND
    ES1JLR3GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1JL R3G" -Einziper.
ES1JAF

ES1JAF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1JL RUG

ES1JL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JE-TP

ES1JE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JFL

ES1JFL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1JHM2G

ES1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RTG

ES1JL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1J-TP

ES1J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1J-LTP

ES1J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JL MHG

ES1JL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RVG

ES1JL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMHG

ES1JLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHM2G

ES1JLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JF R2G

ES1JF R2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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