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4193020ES1JLW RVG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JLW RVG

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$0.106
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1JLW RVG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1JLW RVG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    ES1JLW RVGCT
    ES1JLW RVGCT-ND
    ES1JLWRVGCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1JLW RVG" -Einziper.
ES1JLWHRVG

ES1JLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LD M2G

ES1LD M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHR3G

ES1JLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LGHM2G

ES1LGHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LG M2G

ES1LG M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JTR

ES1JTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1KE-TP

ES1KE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1LDHM2G

ES1LDHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LG R3G

ES1LG R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1K-TP

ES1K-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JLHMHG

ES1JLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLHRVG

ES1JLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ES1LD R3G

ES1LD R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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