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3585565ES1LGHM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1LGHM2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1LGHM2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1LGHM2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    18pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1LGHM2G" -Einziper.
ES1MTR

ES1MTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1M-TP

ES1M-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1KE-TP

ES1KE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1LJ R3G

ES1LJ R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LD M2G

ES1LD M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1PA-E3/85A

ES1PA-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1P41653001

ES1P41653001

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON DPST-NC 1A 24V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
ES1LG M2G

ES1LG M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1PA-M3/84A

ES1PA-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1LD R3G

ES1LD R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1P41653

ES1P41653

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON DPST-NC 1A 24V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
ES1LG R3G

ES1LG R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LJ M2G

ES1LJ M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1ME-TP

ES1ME-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1LJHM2G

ES1LJHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1K-TP

ES1K-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1JLW RVG

ES1JLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1JLWHRVG

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LDHM2G

ES1LDHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ES1JTR

ES1JTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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