Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES1LJHM2G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6162046ES1LJHM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1LJHM2G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
15000+
$0.07
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1LJHM2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1LJHM2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    18pF @ 4V, 1MHz

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "ES1LJHM2G" -Einziper.
ES1P41653001

ES1P41653001

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON DPST-NC 1A 24V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
ES1P41653

ES1P41653

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON DPST-NC 1A 24V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
ES1LD M2G

ES1LD M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1PA-M3/84A

ES1PA-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1LDHM2G

ES1LDHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LGHM2G

ES1LGHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LD R3G

ES1LD R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1MTR

ES1MTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1ME-TP

ES1ME-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1LG R3G

ES1LG R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1LJ M2G

ES1LJ M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1PA-E3/85A

ES1PA-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1LJ R3G

ES1LJ R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1M-TP

ES1M-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1PB-E3/85A

ES1PB-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1KE-TP

ES1KE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1LG M2G

ES1LG M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1PAHE3/84A

ES1PAHE3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1PAHE3/85A

ES1PAHE3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1K-TP

ES1K-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.