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5613175ESH3D R7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3D R7G

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  • Artikelnummer
    ESH3D R7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ESH3D R7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    ESH3D R7G-ND
    ESH3DR7G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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ESH3D V6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ESH3D-M3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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ESH3D M6G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ESH3D-E3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH3C-M3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

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ESH3DHE3_A/H

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ESH3C-E3/9AT

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ESH3D V7G

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ESH3DHE3/57T

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ESH3CHE3/57T

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ESH3CHE3_A/I

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