ESH3D R7G

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Spezifikation

Artikelnummer

ESH3D R7G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ESH3D R7G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

200V
Supplier Device-Gehäuse

DO-214AB (SMC)
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

20ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-214AB, SMC
Andere Namen

ESH3D R7G-ND
ESH3DR7G
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 200V
Strom - Richt (Io)

3A
Kapazität @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESH3D R7G" -Einziper.

ESH3CHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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