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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ESJLWHRQG
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3700475ESJLWHRQG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESJLWHRQG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESJLWHRQG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, SUPER FAST
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    ESJLWHRQG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount SOD-123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    19pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESJLWHRQG" -Einziper.
VS-12FR100

VS-12FR100

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CMR1U-02M TR13

CMR1U-02M TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
SS10P6HM3/87A

SS10P6HM3/87A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESJLW RVG

ESJLW RVG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESJLWHRVG

ESJLWHRVG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESJLW RQG

ESJLW RQG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRH200200

MBRH200200

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK28-LTP

SK28-LTP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003GPEHE3/54

1N4003GPEHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RM 4Z

RM 4Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RGP10AHE3/54

RGP10AHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS29FA

SS29FA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 2A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EGP31B-E3/C

EGP31B-E3/C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1T4G A1G

1T4G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SE30AFD-M3/6B

SE30AFD-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-10MQ100-M3/5AT

VS-10MQ100-M3/5AT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6844

1N6844

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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