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2782944ESJLW RVG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESJLW RVG

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$0.101
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESJLW RVG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, SUPER FAST
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    ESJLW RVG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    ESJLWRVGCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount SOD-123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    19pF @ 4V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "ESJLW RVG" -Einziper.
S12KC R7G

S12KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5402GHR0G

1N5402GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4937GHA0G

1N4937GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESJLWHRVG

ESJLWHRVG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
AG01V1

AG01V1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VS-HFA25TB60S-M3

VS-HFA25TB60S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1BL RUG

S1BL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SD101CWS-7-F

SD101CWS-7-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ESJLWHRQG

ESJLWHRQG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JANTX1N3766

JANTX1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MBR760/45

MBR760/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
CRNB20-1200PT

CRNB20-1200PT

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 12.7A TO220AB

Hersteller: Crydom
vorrätig
RFQ
1SS400GT2R

1SS400GT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
CN649 BK

CN649 BK

Beschreibung: DIODE GP 600V 400MA DO-41SP

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
C3D03060A

C3D03060A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
VS-15EWX06FNTRL-M3

VS-15EWX06FNTRL-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS12L RFG

SS12L RFG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESJLW RQG

ESJLW RQG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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