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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > KBP151G C2G
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2252008

KBP151G C2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    KBP151G C2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    KBP151G C2G.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    50V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1.5A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    KBP
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, KBP
  • Andere Namen
    KBP151G C2G-ND
    KBP151GC2G
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole KBP
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A

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Versand
Zahlung
Das Folgende sind "KBP151G C2G" -Einziper.
KBP156G C2

KBP156G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP151G C2

KBP151G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10M-E4/51

KBP10M-E4/51

Beschreibung: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP107G C2G

KBP107G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10M-M4/51

KBP10M-M4/51

Beschreibung: RECT BRIDGE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP154G C2

KBP154G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP154G C2G

KBP154G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10M-E4/45

KBP10M-E4/45

Beschreibung: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP155G C2

KBP155G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10M

KBP10M

Beschreibung: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
KBP156G C2G

KBP156G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP153G C2G

KBP153G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP107G C2

KBP107G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10G

KBP10G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1.5A KBP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10M-BP

KBP10M-BP

Beschreibung: DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
KBP152G C2G

KBP152G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP155G C2G

KBP155G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP152G C2

KBP152G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP153G C2

KBP153G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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