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2121560RS1BL RFG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1BL RFG

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  • Artikelnummer
    RS1BL RFG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1BL RFG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1BL RFG-ND
    RS1BLRFG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    25 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1BL RQG

RS1BL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHMQG

RS1BLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BLHM2G

RS1BLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL R3G

RS1BL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RHG

RS1BL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHMTG

RS1BLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHMHG

RS1BLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RVG

RS1BL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHR3G

RS1BLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RTG

RS1BL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1BL RUG

RS1BL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1BL MQG

RS1BL MQG

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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