Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS1BHE3/61T
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2458450RS1BHE3/61T-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS1BHE3/61T

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1BHE3/61T
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RS1BHE3/61T.pdf
    2.RS1BHE3/61T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS1B

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RS1BHE3/61T" -Einziper.
RS1B-E3/5AT

RS1B-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-13-F

RS1B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BB-13

RS1BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BFA

RS1BFA

Beschreibung: DIODE GP 100V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1BL R3G

RS1BL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RFG

RS1BL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B/11

RS1B/11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/5AT

RS1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/61T

RS1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/61T

RS1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.