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3239320RS1DL M2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DL M2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1DL M2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1DL M2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1DL M2G-ND
    RS1DLM2G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1DL M2G" -Einziper.
RS1DL RFG

RS1DL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL R3G

RS1DL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHE3/5AT

RS1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1DL MQG

RS1DL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHE3/61T

RS1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1DFS MWG

RS1DFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RQG

RS1DL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DFSHMXG

RS1DFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 200V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHR3G

RS1DHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHE3_A/H

RS1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1DL RTG

RS1DL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL MTG

RS1DL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RUG

RS1DL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHE3_A/I

RS1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1DL MHG

RS1DL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DFS MXG

RS1DFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 200V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DFSHMWG

RS1DFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RHG

RS1DL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DHM2G

RS1DHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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