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5659676RS1DLHRFG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1DLHRFG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1DLHRFG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1DL RHG

RS1DL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RQG

RS1DL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RUG

RS1DL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DL RTG

RS1DL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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