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3915736RS1DLW RVG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLW RVG

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15000+
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30000+
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75000+
$0.043
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1DLW RVG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1DLW RVG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    RS1DLW RVGTR
    RS1DLW RVGTR-ND
    RS1DLWRVGTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RS1DLW RVG" -Einziper.
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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