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6809680RS1GFSHMXG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GFSHMXG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1GFSHMXG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, FAST, 1A, 400V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    RS1GFSHMXG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-128
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-128
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-128
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1GFSHMXG" -Einziper.
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 400V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1GL MTG

RS1GL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

Beschreibung: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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