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5627669RS1GL MTG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GL MTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1GL MTG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1GL MTG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1GL MTG-ND
    RS1GLMTG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1GL MTG" -Einziper.
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 400V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL RVG

RS1GL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL RFG

RS1GL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GLHMHG

RS1GLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL R3G

RS1GL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL RHG

RS1GL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHMQG

RS1GLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GL RQG

RS1GL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GL RUG

RS1GL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GL RTG

RS1GL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHM2G

RS1GLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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