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1573035RS1JL MHG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL MHG

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  • Artikelnummer
    RS1JL MHG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1JL MHG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1JL MHG-ND
    RS1JLMHG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1JL RTG

RS1JL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 600V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 600V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1JHE3/5AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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