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6018693RS1JLHRFG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLHRFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1JLHRFG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1JLHRFG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1JLHRFG" -Einziper.
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JTR

RS1JTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1JLHRUG

RS1JLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHRHG

RS1JLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLSHRVG

RS1JLSHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHRTG

RS1JLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHRQG

RS1JLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLWHRVG

RS1JLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLW RVG

RS1JLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLS RVG

RS1JLS RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JLHRVG

RS1JLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1JL RTG

RS1JL RTG

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