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406532RS1JLHRVG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLHRVG

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  • Artikelnummer
    RS1JLHRVG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1JLW RVG

RS1JLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRHG

RS1JLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLS RVG

RS1JLS RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLSHRVG

RS1JLSHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K

RS1K

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RS1JLWHRVG

RS1JLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K M2G

RS1K M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K-13-F

RS1K-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JTR

RS1JTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RS1JLHRQG

RS1JLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRFG

RS1JLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRUG

RS1JLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K-13

RS1K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1JLHRTG

RS1JLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K R3G

RS1K R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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