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3744480RS1KL MQG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1KL MQG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1KL MQG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1KL MQG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1KL MQG-ND
    RS1KLMQG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1KL MQG" -Einziper.
RS1KHM2G

RS1KHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHR3G

RS1KHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3_A/H

RS1KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KFSHMWG

RS1KFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RQG

RS1KL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL MHG

RS1KL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RTG

RS1KL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLHM2G

RS1KLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RUG

RS1KL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3/61T

RS1KHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KL RFG

RS1KL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL R3G

RS1KL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL MTG

RS1KL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3/5AT

RS1KHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KLHMHG

RS1KLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL M2G

RS1KL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3_A/I

RS1KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KFSHMXG

RS1KFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 800V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RHG

RS1KL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RVG

RS1KL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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