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1945626RS1KHM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1KHM2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1KHM2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1KHM2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1KHM2G" -Einziper.
RS1KHE3_A/I

RS1KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KFA

RS1KFA

Beschreibung: DIODE GP 800V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1KL MTG

RS1KL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KFS MWG

RS1KFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RFG

RS1KL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KFP

RS1KFP

Beschreibung: DIODE GP 800V 1.2A SOD123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1KFSHMXG

RS1KFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 800V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL MQG

RS1KL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KFSHMWG

RS1KFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL R3G

RS1KL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL M2G

RS1KL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RQG

RS1KL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RHG

RS1KL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL MHG

RS1KL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3/5AT

RS1KHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KFS MXG

RS1KFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 800V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHR3G

RS1KHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KL RTG

RS1KL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KHE3_A/H

RS1KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1KHE3/61T

RS1KHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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