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6313814RS3KHR7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS3KHR7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3KHR7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3KHR7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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RS3K-M3/9AT

RS3K-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3MHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3MHM6G

RS3MHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3KHE3_A/I

RS3KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KHM6G

RS3KHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3M M6G

RS3M M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3KHE3/57T

RS3KHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KHE3/9AT

RS3KHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KB-13-F

RS3KB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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RFQ
RS3KHE3_A/H

RS3KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K-E3/9AT

RS3K-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K-M3/57T

RS3K-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
RS3MB-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3M R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3M V6G

RS3M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3M V7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3KB-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3MB-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3M-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3M-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

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