Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS3M M6G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3161525RS3M M6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS3M M6G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
9000+
$0.111
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3M M6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3M M6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    RS3M M6G-ND
    RS3MM6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RS3M M6G" -Einziper.
RS3MHM6G

RS3MHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3M-13

RS3M-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3KHE3_A/H

RS3KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KB-13

RS3KB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3KHR7G

RS3KHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3M-13-F

RS3M-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3X

RS3X

Beschreibung: RESISTR KIT 1K-9.76K 1/4W 480PCS

Hersteller: Yageo
vorrätig
RFQ
RS3K-M3/9AT

RS3K-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K-M3/57T

RS3K-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3M V6G

RS3M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3KHE3/57T

RS3KHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KB-13-F

RS3KB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3MB-13-F

RS3MB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3KHE3_A/I

RS3KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KHM6G

RS3KHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3MB-13

RS3MB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3MHR7G

RS3MHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3KHE3/9AT

RS3KHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3M V7G

RS3M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3M R7G

RS3M R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.