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4666059RSFBLHMQG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RSFBLHMQG

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    RSFBLHMQG
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  • Bestandsmenge
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  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 500mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 500mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    500mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 4V, 1MHz
RSFBLHR3G

RSFBLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RSFDL MHG

RSFDL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RSFBLHRVG

RSFBLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RSFBLHMTG

RSFBLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RSFBL RVG

RSFBL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RSFBLHRQG

RSFBLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RSFBLHRHG

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RSFBLHM2G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

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RSFBL MTG

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RSFDL M2G

RSFDL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

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RSFBL RHG

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RSFBL R3G

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RSFBLHRFG

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RSFBL RFG

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RSFBLHRUG

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RSFBL RUG

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RSFBLHRTG

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RSFBL RTG

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RSFBLHMHG

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RSFBL RQG

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