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1909637S12JC V6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12JC V6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12JC V6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S12JC V6G.pdf
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S12JC V6G-ND
    S12JCV6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    12A
  • Kapazität @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S12JC V6G" -Einziper.
S12GC V6G

S12GC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12J

S12J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12GR

S12GR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12K

S12K

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12JR

S12JR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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S12JCHR7G

S12JCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KC V6G

S12KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KC V7G

S12KC V7G

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S12KC R7G

S12KC R7G

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