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S12JR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12JR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    12A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    S12JRGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S12JR
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    600V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
S12JC M6G

S12JC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12KC R7G

S12KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12MC M6G

S12MC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12JC V7G

S12JC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
S12K

S12K

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12JC V6G

S12JC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12M

S12M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
S12KC V7G

S12KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12KC M6G

S12KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12J

S12J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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S12JC R7G

S12JC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12GR

S12GR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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S12JCHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KC V6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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