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3743180S1JHR3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1JHR3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1JHR3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1JHR3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1JHR3G" -Einziper.
S1JFSHMWG

S1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL M2G

S1JL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL MHG

S1JL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHM3/61T

S1JHM3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JL MQG

S1JL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHE3_A/I

S1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE3_A/H

S1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JL MTG

S1JL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHE

S1JHE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JL RQG

S1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFS MXG

S1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL RTG

S1JL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHM2G

S1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL RHG

S1JL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL RFG

S1JL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL R3G

S1JL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JL RUG

S1JL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHE3/5AT

S1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE3/61T

S1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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