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2048355S1JL RUG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1JL RUG

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  • Artikelnummer
    S1JL RUG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.8µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    S1JL RUG-ND
    S1JLRUG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
S1JL MTG

S1JL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JLHRQG

S1JLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JLHMQG

S1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JLHMTG

S1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JL RFG

S1JL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JL MHG

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1JL MQG

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S1JLHRHG

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S1JL RTG

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S1JLHRTG

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S1JL M2G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1JLHMHG

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S1JLHRFG

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S1JLHM2G

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S1JLHR3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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S1JL RVG

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S1JL RQG

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S1JHR3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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S1JL RHG

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S1JL R3G

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