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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S1MFS MWG
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5278256S1MFS MWG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1MFS MWG

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24500+
$0.054
87500+
$0.048
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1MFS MWG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, 1A, 1000V, SOD-128
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    S1MFS MWG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-128
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-128
  • Andere Namen
    S1MFSMWGTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount SOD-128
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1MFS MWG" -Einziper.
S1MBHR5G

S1MBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFL

S1MFL

Beschreibung: DIODE GP 1000V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1MDFQ-13

S1MDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1MFSHMWG

S1MFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3_A/H

S1MHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MB R5G

S1MB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFSHMXG

S1MFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFP

S1MFP

Beschreibung: DIODE GP 1000V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1MHM2G

S1MHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3/61T

S1MHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MB-13-F

S1MB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1MB-13

S1MB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1MFS MXG

S1MFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3/5AT

S1MHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MBHM4G

S1MBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML M2G

S1ML M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MBTR

S1MBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1MDF-13

S1MDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1MHR3G

S1MHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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