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526056S1ML M2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1ML M2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1ML M2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1ML M2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.8µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    S1ML M2G-ND
    S1MLM2G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1ML M2G" -Einziper.
S1ML R3G

S1ML R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFSHMXG

S1MFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHM2G

S1MHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RHG

S1ML RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3/61T

S1MHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MHE3/5AT

S1MHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1MHR3G

S1MHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFS MXG

S1MFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1ML MHG

S1ML MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RFG

S1ML RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFS MWG

S1MFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RTG

S1ML RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MFSHMWG

S1MFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RUG

S1ML RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML MQG

S1ML MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RVG

S1ML RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML RQG

S1ML RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1MHE3_A/H

S1MHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1ML MTG

S1ML MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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