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1256101S3JB M4G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S3JB M4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S3JB M4G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S3JB M4G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    S3JB M4G-ND
    S3JBM4G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S3JB M4G" -Einziper.
S3J-M3/57T

S3J-M3/57T

Beschreibung: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JBHR5G

S3JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3JBTR

S3JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S3J R7G

S3J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3J-13

S3J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3J-13-F

S3J-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3JB-13-F

S3JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3J-E3/9AT

S3J-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3J V7G

S3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3J-E3/57T

S3J-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JB

S3JB

Beschreibung: DIODE GP 600V 3A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S3JHE3_A/H

S3JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JB-TP

S3JB-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3J-TP

S3J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3J-M3/9AT

S3J-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JHE3/9AT

S3JHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JB R5G

S3JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3JHE3/57T

S3JHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JHE3_A/I

S3JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JB-13

S3JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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